
📖 Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Принципы построения и компактные модели.
Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является техн…Полное описание
О книге
автор, издательство, серия- Издательство
- LAP LAMBERT Academic Publishing
- ISBN
- 978-3-848-44593-6
- Год
- 2012