Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Принципы построения и компактные модели.

📖 Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Принципы построения и компактные модели.

Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является техн…Полное описание

О книге

автор, издательство, серия
Издательство
LAP LAMBERT Academic Publishing
ISBN
978-3-848-44593-6
Год
2012